中芯國際年底量產7nm工藝?官方道出真相

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摘 要

摘要:日前中芯國際聯席CEO梁孟松博士首次公開了中芯國際N+1、N+2代工藝的情況,透露N+1工藝相比於14nm性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%,SoC面積縮小55%,之後的N+2工藝性能和成本都更高一些。業界普遍認為,中芯國際N+1工藝相當於台積電第一代7nm工藝,N+2則相當於台積電7nm+,重點在提升性能,年底即可量產。

摘要:日前中芯國際聯席CEO梁孟松博士首次公開了中芯國際N+1、N+2代工藝的情況,透露N+1工藝相比於14nm性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%,SoC面積縮小55%,之後的N+2工藝性能和成本都更高一些。業界普遍認為,中芯國際N+1工藝相當於台積電第一代7nm工藝,N+2則相當於台積電7nm+,重點在提升性能,年底即可量產。

日前中芯國際聯席CEO梁孟松博士首次公開了中芯國際N+1、N+2代工藝的情況,透露N+1工藝相比於14nm性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%,SoC面積縮小55%,之後的N+2工藝性能和成本都更高一些。

業界普遍認為,中芯國際N+1工藝相當於台積電第一代7nm工藝,N+2則相當於台積電7nm+,重點在提升性能,年底即可量產。

今天,中芯國際相關人士詳細解釋了N+1工藝,也澄清了一些誤會。

首先需要強調的是,N+1是中芯國際的內部代號,並不等於7nm。

據介紹,中芯國際N+1工藝在去年第四季度完成流片,目前正處於客戶產品驗證階段,預計第四季度有限量產。

與市場上的7nm相比,中芯國際N+1在功耗、穩定性方面非常相似,唯一的區別就是性能,N+1的性能比14nm提高了約20%,但市場基準提升幅度是35%,所以有差距,但這也是唯一的差距。

如果是從功耗、穩定性方面而言,可以將中芯國際N+1稱為7nm,而在性能方面確實要比7nm差。

中芯國際對N+1的目標是低成本應用,可以將成本相對市場上的7nm減少大約10%,因此是一個非常特殊的工藝節點。

從中芯國際的表態看,N+1更類似於台積電、三星的10nm,或者有點像三星的8nm,因為20%的性能提升幅度遠低於台積電預計的30%、實際的35%。

至於N+2工藝,與市場7nm更為接近,尤其是穩定性,但是性能仍然略遜一籌。

另外隨著台積電、三星陸續導入EUV極紫外光刻,中芯國際也在加速推進,但是梁孟松曾明確表示,

中芯國際無需EUV就能達成7nm,當然後續的5nm、3nm是必須要有EUV的。

其實,台積電第一代7nm也沒有用EUV而是繼續傳統DUV,7nm+才有限導入EUV,幾十層光罩中只有幾層使用。

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